,TO-226_straightlead.jpg "MPS6602G")
图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 600mV @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 50 @ 500mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 100MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 4 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 300 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 50 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-92-3 (TO-226) |
| 连续集电极电流 | 0.5 A |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 寿命 | Obsolete |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 最小直流电流增益 | 50@100mA@1V|50@500mA@1V|30@1000mA@1V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 625000 |
| 最大基地发射极电压 | 4 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 50 @ 500mA, 1V |
| 其他名称 | MPS6602GOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
MPS6602G也可以通过以下分类找到
MPS6602G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
